Учебно-методический комплекс по дисциплине “технология изделий электронно-оптической техники” для студентов специальности т 08. 03. 00 «Электронно-оптические системы и технологии»

Скачать 2.83 Mb.

Название	Учебно-методический комплекс по дисциплине “технология изделий электронно-оптической техники” для студентов специальности т 08. 03. 00 «Электронно-оптические системы и технологии»
Количество страниц	11
Дата	30.06.2013
Размер	2.83 Mb.
Тип	Рабочая программа

Содержание

Рабочая программа
Степень интеграции
Уровень интеграции
Конструкции пленочных элементов индуктивности.
Т — температура. Если в интервале температур (Т
N — концентрация примесей в полупроводнике; U
3 — поток осаждаемых частиц, 4 —
В испарителях с непосредственным нагревом
1, по краям которой имеются лапки 2
4. При подаче тока накала от источника 5 происходит нагрев термокатода с испусканием электронов 1.
6, создающий электрическое поле Е
5.4. Катодное распыление
5.6 Получение пленок из газовой фазы
1 - осаждения частиц окислителя (О2, Н2О) из парогазовой смеси (ПГС) на внешней поверхности оксида; диффузии 2
5.11. Плазмохимическое осаждение
Первую стадию
Способы проведения двухстадийной диффузии примесей в поверхность полупроводниковых пластин
4 и источник примеси 5
4 и источник примеси 5
6.4. Физико-химические основы ионного легирования
Конструкция автомата ионнолучевого легирования
Вакуумная схема
7. Методы формирования конфигурации элементов иэот
Позитивные и негативные фоторезисты
Разрешающая способность
Бработка поверхности подложек
Общим недостатком нанесения жидких фоторезистов является трудность получения сплошных слоев заданной толщины.
Основные виды и причины брака.
Точность полученного в процессе фотолитографии топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса
Сохранение во всем цикле создания ИМС оптического контраст метки, определяемого в основном ее формой, является важнейшей задачей
Резка алмазным режущим диском
Разделение разламыванием.
Рисунок 8.1.3 Схема пневмогидравлической ломки полупроводниковых пластин М сферических (цилиндрических) опорах
Закрепление и ориентация.
Демонтаж и очистка.
1 из эвтектического сплава, ее переноса и укладки на место пайки (Рисунок 4, а, б)
1. - крышка, 2 - стеклянный припой, 3
1 Естественно, что все необходимые соединения на кристалл электрически связывают с выступами. Кристалл переворачиваю выступами в
1 к кристаллу 7 ее вытягивают через капилляр 3
Необходимо отметить, что каждый способ термокомпрессии характеризуется своим отпечатком инструмента на электродном выводе.
Под герметичностью понимают способность замкнутой конструкции не пропускать газ (жидкость) .
Герметизация корпусов пайкой
Герметизиция корпусов контактной контурной электросваркой
В, преобразующий переменный ток в постоянный, батарея конденсаторов С
Практическое занятие N1
Расчет распределения примеси в случае двухстадийной диффузии
Расчет распределения примеси при диффузии из слоя конечной толщины
II вариант
Методы расчета ионно-легированных структур.
Типичные параметры ИЛ
Понятие среднеквадратичного отклонения нормального пробега(или проекции) (ARp)
Расчет энергии ионов для получения заданного пробега
II. Расчет дозы облучения для получения заданной концентрации примеси
Модель термического окисления кремния
Для потока
Для потока
Анализ и расчет характеристик тонкопленочных контактов металл-полупроводник
Краткий анализ характеристик контактов
Методы определения величины переходного сопротивления ИК
3. Определение Rk no распределению потенциалов вдоль образца.
Расчет характеристик контактов

Разместите кнопку на своём сайте:
Медицина

База данных защищена авторским правом ©MedZnate 2000-2016
allo, dekanat, ansya, kenam
обратиться к администрации | правообладателям | пользователям

Документы