Учебно-методический комплекс по дисциплине “технология изделий электронно-оптической техники” для студентов специальности т 08. 03. 00 «Электронно-оптические системы и технологии»

Скачать 2.83 Mb. Название Учебно-методический комплекс по дисциплине “технология изделий электронно-оптической техники” для студентов специальности т 08. 03. 00 «Электронно-оптические системы и технологии» страница 11/11 Дата 30.06.2013 Размер 2.83 Mb. Тип Рабочая программа

Содержание Расчет характеристик контактов

Значения Фm некоторых металлов. Металл Фm Металл Фm Металл Фm Металл Фm Al 4.25 V 4.12 Zr 3.90 Ru 4.60 Be 3.92 Сr 4.58 Nb 3,99 Pd 4.80 Ti 3.95 Ni 4.50 Mo 4.30 Ge 2.70 Та 4.12 W 4.54 Re 5.00 Типичные значения высоты барьера Шотки для металлов составляют 0,65 - 0,75 эВ. Степень легирования слоя полупроводника Nd - для n-типа и N, для p-типа влияет на механизм переноса носителей зарядов (электронов и дырок соответственно) в контакте. Различают следующие механизмы переноса носителей через контакт: а) термоэлектронная эмиссия (перенос над энергетическим барьером); б) полевая эмиссия (туннелирование) сквозь барьер; в) термополевая эмиссия (перенос над барьером и туннелирование); г) туннельно-рекомбинационный механизм. Указанные механизмы переноса проиллюстрированы на нижеследующем рисунке. Основные механизмы переноса носителей через контакт при наличии смещения UCM Определить механизм переноса зарядов можно при помощи критерия : , где h* - h/2, h - 6.6 • 10-34; m* -эффективная масса электрона, 4,55 • 10-31 кг; m -масса электрона, m*= 0,5 т, Тогда, если >> 1, то основной механизм переноса носителей в контакте - термоэлектронная эмиссия ; если << 1 - полевая эмиссия, если ~ 1 - тёрмополевая эмиссия. Туннельно-рекомбинационный механизм встречается в особых типах контактов металл-полупроводник, где имеет место интенсивное взаимодействие материалов в технологическом процессе формирования контактов с образованием новых соединений и границ раздела. ^ Расчет характеристик контактов 1 .Если >> 1, то А*- эффективная постоянная Ричардсона (А•см-2•К-2), свободных электронов постоянная Ричардсона А*=120 А•см-2•К-2. Для кремния p-типа А*/А=0,66. Для кремния n-типа: А*/А=2,2 в направлении движения электронов <111>; А*/А=2,1 в направлении движения электронов <100>. 2. Если << 1, то EF - энергия уровня Ферми; е, h -индексы электронов и дырок (Nd ~Ne, Na ~NP). 3. Если ~ 1,то Нужно учесть, что последнее выражение для рк справедливо, если Расчет RK ведется применительно к омическим контактам к областям базы n-p-n -планарных транзисторов с Na =1018 -1019 см-3 и к областям эмиттеров (коллекторов) с Nd >1020 см-3. Средняя площадь контактов Sk может быть выбрана из диапазона 1-8 мкм2. Выбор металла контактов производится самостоятельно, исходя из технических условий или индивидуального задания. Приложение Таблица 1 Значения средних нормальных пробегов и стандартных отклонений пробегов, выраженные в нанометрах, для ряда ионов с энергиями 20- 200 эВ в кремнии. Таблица 2 Некоторые характерные точки кривой Гаусса Е,эВ 11B+ 27AI+ 3lp+ 75Sb+ 12lSb+ 20 Rp 78 29 26 16 14 RP 32 11 9.4 3.7 2.4 40 Rp 161 56 49 27 23 RP 54 19 16.4 6.2 3.8 60 Rp 244 85 73 38 31 RP 71 27 23 8.4 5.1 80 Rp 324 114 98 48 38 RP 84 35 30 10.5 6.3 100 Rp 398 144 123 58 46 RP 94 42 35 12.5 7.4 120 Rp 469 175 149 68 53 RP 102 48 41 14.5 8.4 140 Rp 537 205 175 79 60 RP 110 54 47 16 9.5 160 Rp 603 236 201 89 67 RP 116 60 52 18 10.5 180 Rp 665 266 228 99 74 RP 121 60 57 20 11.5 200 Rp 725 297 254 110 81 RP 126 70 61 22 12.5 Таблица 2 Некоторые характерные точки кривой Гаусса 0 0,833 1,52 2,14 2,63 3,04 3,39 3,71 4 1 0,5 0,1 0,01 10-3 10-4 10-5 10-6 10-7 Зависимость толщины пленки SiO2, выращенной в атмосфере сухого кислорода, от времени для температур С° 1-700; 2-800; 3-900; 4-1000; 5-1100; 6-1200; 7-1300; 8-1400. Зависимость толщины пленки SiO2, выращенной В атмосфере водяного пара, от времени для температур С°: 1-600; 2-700; 3-800; 4-900; 5-1000; 6-1100; 7-1200; 8-1300; 9-1400. Таблица З Значения erfc функции для различных а и г. ж / а 0.1 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 0.1 0.09015 0.07376 0.06035 0.03655 0.01340 0.00491 0.00066 0.3 0.26295 0.21403 0.17422 0.10416 0.03725 0.01333 0.00174 0.5 0.41626 0.33557 0.27058 0.15812 0.05419 0.01866 0.00224 0.7 0.54464 0.43340 0.34515 0.19596 0.06398 0.02120 0.00242 0.9 0.64829 0.50812 0.39903 0.21979 0.06867 0.02213 0.00245 1.5 0.84509 0.63065 0.47586 0.24431 0.07141 0.02247 0.00246 3 0.99920 0.68698 0.49825 0.24708 0.07147 0.02247 0.00246 </100></111>

---

Ваша оценка:

Похожие:

	Учебно-методический комплекс для студентов дневной и заочной формы обучения по специальности 260504		Учебно-методический комплекс Рабочая учебная программа Методические указания и индивидуальные задания О. М. Чикова. Психология акцентуированных личностей: Учебно-методический комплекс. Рабочая учебная...
	Учебно-методический комплекс по дисциплине «Анатомия центральной нервной системы» для студентов очной		Учебно-методический комплекс по дисциплине цикла ен. В. 01а для студентов очной и заочной формы обучения
	Учебно-методический комплекс «Анатомия и физиология центральной нервной системы» для студентов дневного		Учебно-методический комплекс дисциплины «логопедические технологии» (раздел «технология обследования
	Методический комплекс для студентов специальности 270900- технология мяса и мясных продуктов по направлению		Научно-образовательный комплекс По специальности 050701 «Биотехнология» учебно-методический комплекс
	Учебно-методический комплекс Для студентов специальности 060105		Учебно-методический комплекс Для студентов специальности 060101

Разместите кнопку на своём сайте:
Медицина

---